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賽富樂(lè)斯告訴你這一Micro LED芯片如何達(dá)成？
Micro LED是能實(shí)現(xiàn)超大屏顯示及特殊形狀模組顯示的技術(shù)。目前的Micro LED顯示方案一般是使用紅光、綠光、藍(lán)光晶圓的晶粒進(jìn)行制備，同時(shí)也有一種獨(dú)特的量子點(diǎn)融合工藝，可實(shí)現(xiàn)Micro led顯示屏的無(wú)縫集成。
賽富樂(lè)斯該白皮書(shū)即是闡述融合了量子點(diǎn)的Micro LED制備技術(shù)，通過(guò)在氮化鎵基藍(lán)光LED內(nèi)制備納米孔結(jié)構(gòu)并載入紅光、綠光量子點(diǎn)，經(jīng)由藍(lán)光泵浦后，可實(shí)現(xiàn)全彩Micro LED顯示，解決三色LED帶來(lái)的成本、技術(shù)等難題。以下為該技術(shù)基本信息整理：
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01
挑戰(zhàn)
Micro LED顯示技術(shù)能解決OLED和LED-LCD的缺陷問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)顛覆性的顯示方案。為了實(shí)現(xiàn)所有顯示應(yīng)用都由Micro LED驅(qū)動(dòng)的終極場(chǎng)景，一些關(guān)鍵問(wèn)題需要解決，包括：紅光效率、巨量轉(zhuǎn)移，以及特定場(chǎng)合背景下的亮度表現(xiàn)。
■ 紅光效率問(wèn)題
AlInGaP由于其低成本、高亮度和可靠性的優(yōu)勢(shì)，在照明和顯示應(yīng)用中得到廣泛應(yīng)用。然而，當(dāng)接近微米級(jí)尺寸時(shí)，AlInGaP基Micro LED的效率降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)，導(dǎo)致紅光效率成為了Micro LED應(yīng)用普及的一大阻礙。微米級(jí)LED尺寸越小，由于側(cè)壁缺陷處的非輻射復(fù)合導(dǎo)致的載流子損失越大，效率也越低。低紅光效率最終影響了顯示屏整體亮度和能耗。
■ 特定色域/使用條件下的亮度問(wèn)題
生動(dòng)的色彩和高亮度是HDR顯示的關(guān)鍵要求。人眼具有非常廣的動(dòng)態(tài)范圍，能覆蓋絕對(duì)高亮（10000尼特）到極端黑暗場(chǎng)景（0.005尼特）。
Rec-2020是現(xiàn)有顯示色域參數(shù)中最廣的。目前最好的消費(fèi)顯示屏只能覆蓋色域的60%-80%。而Micro LED卻能夠開(kāi)發(fā)出HDR的全部潛力，實(shí)現(xiàn)10,000尼特的峰值亮度和100% Rec-2020色域覆蓋。
然而，由于當(dāng)前的AlInGaP紅光Micro LED效率低，制備的屏幕存在高耗能和低可靠性的問(wèn)題，很難在使用場(chǎng)景下實(shí)現(xiàn)1,000尼特的亮度。
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02
創(chuàng)新
■ NPQD®技術(shù)原理
NPQD®代表“納米孔-量子點(diǎn)”。通過(guò)電化學(xué)刻蝕，我們?cè)诘塋ED內(nèi)部制備出納米孔結(jié)構(gòu)，注入紅光和綠光量子點(diǎn)并通過(guò)藍(lán)光激發(fā)，最終在單芯片上實(shí)現(xiàn)單獨(dú)可控的R-G-B像素集成。
Figure 1. NPQD®技術(shù)原理
■ 技術(shù)特點(diǎn)（與其他量子點(diǎn)技術(shù)相比）
