客服
Micro LED技術(shù)領(lǐng)域迎來了三大進展
■ 陳學元團隊成功研發(fā)出新型高效近紅外量子點熒光粉，首次應用于Micro LED
■ CEALeti發(fā)表兩篇論文，均和Micro LED技術(shù)進展相關(guān)
研發(fā)新型高效近紅外量子點熒光粉，并首用于Micro LED
近期，中國科學院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所、閩都創(chuàng)新實驗室的陳學元團隊涂大濤研究員等，成功研發(fā)出CuInSe2:Zn2+（CISe: Zn2+）基高效近紅外量子點熒光粉，并首次將其應用于Micro LED。
這是一種基于銅銦硒量子點（CISe QD）的高效近紅外納米熒光粉。團隊通過精準設(shè)計Cu/In和Zn/In組分比，實現(xiàn)了發(fā)射峰從750 nm至1150 nm的寬范圍調(diào)控；通過涂覆 ZnSe 殼，近紅外絕對量子產(chǎn)率高達92.8%。
與此同時，團隊還與福州大學合作，利用電流體噴印技術(shù)，將CISe:Zn2+@ZnSe熒光粉應用于近紅外Micro LED；特別是，藍光芯片點亮后，陣列發(fā)出很強的近紅外光信號，發(fā)光像素點直徑最小為3.7 μm，遠優(yōu)于目前商業(yè)化噴墨打印水平（10-30 μm）。
近紅外發(fā)光（NIR，700-2500 nm）微二極管（micro-LED）在生物傳感、虛擬現(xiàn)實/增強現(xiàn)實（VR/AR）、遙感和光通訊等領(lǐng)域有重要應用價值，本次研究為在各種應用中探索高效 NIR Micro LED 開辟了新途徑。
兩篇Micro LED技術(shù)論文發(fā)布
CEA-Leti 在 2024 年西部光子學大會上發(fā)表兩篇有關(guān)其 Micro LED 技術(shù)進步的論文。
其中，“使用CMOS兼容方法與InGaN/GaN Micro LED進行并行通信”論文顯示，直接在200 mm硅襯底上制造LED為生產(chǎn)由專用CMOS電路獨立控制的幾微米LED矩陣開辟了道路。
CEA-Leti 還開發(fā)了一種在 CMOS ASIC 上集成 GaN LED 矩陣的專利工藝。在這種 CMOS 兼容方法中，通過將 Micro LED 直接粘合在 200 mm 硅晶圓頂部并使用基于 GaN 的器件作為發(fā)射器和快速光電探測器，優(yōu)化了 Micro LED 的集成。
另外一篇論文為“量子阱厚度對生長在藍寶石、自支撐GaN、硅上的InGaN量子阱中載流子擴散長度的影響”；先前研究表明，盡量減少載流子擴散長度似乎是生產(chǎn)高效Micro LED的關(guān)鍵；而本次論文的實驗也表明可通過減小InGaN量子阱的厚度來縮短擴散長度。
論文主要作者Simon Litschgi指出，此次研究成果為在200 mm和300 mm硅晶圓上制造更高效的GaN Micro LED器件鋪平了道路，這正是顯示和通信應用領(lǐng)域最具成本效益的行業(yè)解決方案。
