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三星3NM工藝宣布失敗產品不良率高
三星3nm工藝存在重大問題，試產芯片均存在缺陷，良品率 0%！
報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。
據報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的升級之處在于它將采用 Cortex-X5 和 Cortex-A730 核心，相比 Exynos 2400 的 Cortex-X4 和 Cortex-A720，性能預計將有顯著提升。
遺憾的是，Cortex-X5 和 Cortex-X4 的時鐘頻率差異微乎其微，測試頻率在 3.20GHz 和 3.30GHz 之間。具體取決于三星的最終決定，最終可能只會有 100MHz 的微小提升，甚至完全沒有區別。
報道指出由于 Exynos 2500 芯片試產失敗，三星推遲了大規模生產，目前尚不清楚三星是否有能力及時解決這個良率問題。
據悉，三星的3nm工藝很激進，相比臺積電2nm工藝才會轉向GAA晶體管的保守，三星在第 一代3nm工藝上就使用了GAA晶體管技術，而且是MBCFET多橋通道場效應晶體管，被稱為SF3E，也就是3GAE工藝。
三星3nm GAA技術采用了更寬通的納米片，與采用窄通道納米線的GAA技術相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技術上，三星能夠調整納米晶體管的通道寬度，優化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求。
此外，GAA的設計靈活性對設計技術協同優化（DTCO)非常有利，有助于實現更好的PPA優勢。與三星5nm工藝相比，第 一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少 35%。
