在顯示技術不斷革新的當下，對更高畫質、更廣色域的追求從未停止。傳統色轉換 LED 器件的色域限制在約 90% NTSC 以內，顯示效果難以再有重大突破。而采用量子點等新型發光材料制成的 LED 器件，憑借其在色轉換過程中可實現紅、藍及綠波段較窄的發射半波寬（＜20nm），色域能夠超過 120% NTSC，成為下一代最具潛力的顯示技術之一。然而，目前量子點 LED 器件在封裝設計、色轉換結構及芯片集成方面仍存在不足，限制了其發光效率與穩定性的提升。在此背景下，上海芯元基半導體帶來了重大技術突破。REq全球led顯示屏排行榜_[顯示之家]
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2023 年 7 月 5 日，上海芯元基半導體采用化學剝離 GaN 技術，通過特殊設計的光學反射層及量子點色轉換技術，成功實現了高良率、高效純紅光倒裝結構和正裝結構的量子點 Mini LED 芯片。這一突破將有效降低紅光芯片的成本，提高產品性價比，為量子點顯示技術的商業化進程全面提速。REq全球led顯示屏排行榜_[顯示之家]
在倒裝結構量子點芯片技術方面，芯元基將剝離后的 GaN 芯片出光面，用量子點膠水貼合到已加工好的特殊光學反射層基板上。該光學反射層對激發光源的波長具有高反射率，對量子點發光的波段則有非常高的透光率，從而實現紅光量子點更好激發。在紅光量子點厚度小于 1 微米的情況下，量子點完全激發后，紅光芯片無漏藍光等現象。在量子點芯片加工過程中，采用標準的半導體制程，結合光罩對準方法，在像素側壁制作高密度介質層，實現量子點的完全密封，消除了量子點在可靠度方面的顧慮。REq全球led顯示屏排行榜_[顯示之家]
產品特性曲線表現出色，芯片尺寸為 24mil/50100um。發光測試情況及良率也十分可觀，光譜分布無藍峰，芯片漏電流分布中 IR＜0.1uA，良率大于 97%，芯片電壓分布在 3.1 - 3.2V@5mA。REq全球led顯示屏排行榜_[顯示之家]
后續，芯元基半導體將以該技術為基礎，進一步開發與量子點色轉換層相關的顯示器件技術，以滿足未來高分辨率顯示系統的實際需求。基于該量子點技術方案，芯元基半導體正在為國際知名機構開發尺寸小于 0.2mm*0.2mm 的量子點 MIP 器件。芯元基的量子點 MIP 技術在 GaN 晶圓的每個子像素側壁均設有金屬電極結構，這種結構不僅有利于像素的共陰極設計，還能更好地解決獨立子像素間的光串擾問題。在 RGB 量子點模板（QDCC）上，采用特定結構設計的光學反射鏡，實現紅光、綠光的高效激發。所有制程均采用標準的晶圓加工工藝，無需巨量轉移工藝，直接將晶圓芯片和 QDCC 模板鍵合，在降低 MIP 產業成本的同時，實現高可靠性的像素單元。REq全球led顯示屏排行榜_[顯示之家]
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上海芯元基半導體在量子點芯片技術上的重大突破，為顯示技術的發展帶來了新的機遇。隨著技術的不斷進步和產業化進程的加速，相信量子點顯示技術將在未來為我們帶來更加震撼的視覺體驗。